耗散功率 157W Tc
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 2891pF @25VVds
额定功率Max 157 W
下降时间 19 ns
耗散功率Max 157W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BUK7626-100B,118 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 100V 49A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BUK7626-100B,118 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT404 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 49A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 | |
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型号: BUK9628-100A 品牌: 恩智浦 封装: D2PAK N-CH 100V 49A | 功能相似 | 的TrenchMOS晶体管逻辑电平场效应管 TrenchMOS transistor Logic level FET | BUK7626-100B,118和BUK9628-100A的区别 |