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BUK9605-30A,118

BUK9605-30A,118

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
BUK9605-30A,118中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 230 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 75A

上升时间 220 ns

输入电容Ciss 8600pF @25VVds

额定功率Max 230 W

下降时间 320 ns

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BUK9605-30A,118引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BUK9605-30A,118 NXP 恩智浦 D2PAK N-CH 30V 75A 搜索库存
替代型号BUK9605-30A,118
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BUK9605-30A,118

品牌: NXP 恩智浦

封装: D2PAK N-CH 30V 75A

当前型号

D2PAK N-CH 30V 75A

当前型号

型号: STB80NF03L-04T4

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 30V 80A 4mΩ

功能相似

N沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET

BUK9605-30A,118和STB80NF03L-04T4的区别

型号: STB95N3LLH6

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 30V 80A

功能相似

N 通道 MOSFET,已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点(称作源极和漏极)之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。

BUK9605-30A,118和STB95N3LLH6的区别