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BSR58,215

BSR58,215

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NXP(恩智浦) 分立器件

JFET N-CH 40V 0.25W1/4W SOT23

This JFET from Semiconductors is specially engineered resist to control current flow as well as provide high input impedance. Its maximum power dissipation is 250 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. It is made in a single configuration. This junction field effect transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.

BSR58,215中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 60 Ω

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds 40 V

击穿电压 40 V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSR58,215引脚图与封装图
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在线购买BSR58,215
型号 制造商 描述 购买
BSR58,215 NXP 恩智浦 JFET N-CH 40V 0.25W1/4W SOT23 搜索库存
替代型号BSR58,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BSR58,215

品牌： NXP 恩智浦

封装： TO-236-3 250mW

当前型号

JFET N-CH 40V 0.25W1/4W SOT23

当前型号

型号： BSR56

品牌： 飞兆/仙童

封装： SOT-23 N-Channel 40V 50mA 25ohms 250mW

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSR56  晶体管, JFET, JFET, 40 V, 50 mA, 10 V, SOT-23, JFET

BSR58,215和BSR56的区别

型号： BSR57

品牌： 飞兆/仙童

封装： SOT-23 N-Channel 40V 20mA 250mW

功能相似

N 通道 JFET，Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。

BSR58,215和BSR57的区别

型号： BSR58

品牌： 安森美

封装： SOT-23-3 250mW

功能相似

ON Semiconductor BSR58 N通道 JFET 晶体管, Vds=0.4 V, Idss: 8 → 80mA, 3引脚 SOT-23封装

BSR58,215和BSR58的区别