BUK9Y4R8-60E,115
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NXP
恩智浦
分立器件
BUK9Y4R8-60E,115中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 238W Tc
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 53 ns
输入电容Ciss 7853pF @25VVds
额定功率Max 238 W
下降时间 47 ns
耗散功率Max 238W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-669
外形尺寸
封装 SOT-669
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BUK9Y4R8-60E,115引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUK9Y4R8-60E,115 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5Pin4+Tab LFPAK T/R | 搜索库存 |