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BFR30,235
NXP(恩智浦) 分立器件

JFET N-CH 10mA 0.25W1/4W SOT23

This JFET from Semiconductors can be used as an electrical switch, amplifier, or voltage-controlled resistor by utilizing a diode-like structure. Its maximum power dissipation is 250 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This junction field effect transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.

BFR30,235中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 25 V

输入电容Ciss 4pF @10VVds

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BFR30,235引脚图与封装图
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BFR30,235 NXP 恩智浦 JFET N-CH 10mA 0.25W1/4W SOT23 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BFR30,235

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-236-3

当前型号

JFET N-CH 10mA 0.25W1/4W SOT23

当前型号