BUK9Y19-55B,115
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NXP
恩智浦
分立器件
BUK9Y19-55B,115中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 85000 mW
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 46.0 A
上升时间 180 ns
输入电容Ciss 1992pF @25VVds
额定功率Max 85 W
下降时间 134 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 85W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
外形尺寸
封装 SOT-669
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BUK9Y19-55B,115引脚图与封装图
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在线购买BUK9Y19-55B,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUK9Y19-55B,115 | NXP 恩智浦 | LFPAK N-CH 55V 46A | 搜索库存 |
替代型号BUK9Y19-55B,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUK9Y19-55B,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT669 N-Channel 55V 46A | 当前型号 | LFPAK N-CH 55V 46A | 当前型号 |
| 型号： BUK9Y19-55B 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive 5Pin4+Tab LFPAK | BUK9Y19-55B,115和BUK9Y19-55B的区别 |