BST82,235
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BST82,235中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 830mW Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 0.19A
输入电容Ciss 40pF @10VVds
耗散功率Max 830mW Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BST82,235引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BST82,235
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BST82,235 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236 N-CH 100V 0.19A | 当前型号 | TO-236AB N-CH 100V 0.19A | 当前型号 |
| 型号： BST82,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 N-Channel 100V 190mA | 类似代替 | NXP BST82,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 100 V, 5 ohm, 5 V, 2 V | BST82,235和BST82,215的区别 |
| 型号： 2N7002,215 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002,215, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | BST82,235和2N7002,215的区别 |
| 型号： BSS123,215 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Nexperia Si N沟道 MOSFET BSS123,215, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装 | BST82,235和BSS123,215的区别 |