BSS84AKMB,315
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NXP
恩智浦
分立器件
BSS84AKMB,315中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 715 mW
漏源极电压Vds 50 V
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 36pF @25VVds
额定功率Max 360 mW
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360mW Ta, 2.7W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DFN1006B-3
外形尺寸
封装 DFN1006B-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
BSS84AKMB,315引脚图与封装图
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在线购买BSS84AKMB,315
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSS84AKMB,315 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3Pin DFN T/R | 搜索库存 |