BUK9E06-55B,127
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NXP
恩智浦
分立器件
BUK9E06-55B,127中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 258W Tc
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 146A
输入电容Ciss 7565pF @25VVds
额定功率Max 258 W
耗散功率Max 258W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
BUK9E06-55B,127引脚图与封装图
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在线购买BUK9E06-55B,127
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUK9E06-55B,127 | NXP 恩智浦 | I2PAK N-CH 55V 146A | 搜索库存 |
替代型号BUK9E06-55B,127
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUK9E06-55B,127 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT226 N-CH 55V 146A | 当前型号 | I2PAK N-CH 55V 146A | 当前型号 |
| 型号： BUK9E4R4-40B,127 品牌： 恩智浦 封装： I2PAK N-CH 40V 174A | 类似代替 | I2PAK N-CH 40V 174A | BUK9E06-55B,127和BUK9E4R4-40B,127的区别 |
| 型号： BUK9E06-55B 品牌： 恩智浦 封装： I2PAK N-CH 55V 146A | 类似代替 | N沟道FET的TrenchMOS N-channel TrenchMOS FET | BUK9E06-55B,127和BUK9E06-55B的区别 |
| 型号： IRF1405ZLPBF 品牌： 英飞凌 封装： TO-262 N-CH 55V 150A | 功能相似 | N沟道 55V 75A | BUK9E06-55B,127和IRF1405ZLPBF的区别 |