BUK7Y18-55B,115
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NXP
恩智浦
分立器件
BUK7Y18-55B,115中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 85W Tc
漏源极电压Vds 55 V
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 1263pF @25VVds
额定功率Max 85 W
下降时间 16 ns
耗散功率Max 85W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-669
外形尺寸
封装 SOT-669
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BUK7Y18-55B,115引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUK7Y18-55B,115 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 55V 47.4A 5Pin4+Tab LFPAK T/R | 搜索库存 |