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BSD840NH6327XTSA1

BSD840NH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSD840NH6327XTSA1  场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 20V, 0.88A, SOT-363-6

OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列

Infineon
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* OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。

得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363


欧时:
Infineon OptiMOS 2 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSD840NH6327XTSA1, 880 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 SC-88封装


立创商城:
2个N沟道 20V 880mA


贸泽:
MOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-363-6


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, BRT, N沟道, 20 V, 880 mA, 0.27 ohm, SOT-363, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A 6-Pin SOT-363 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Newark:
MOSFET, DUAL N CH, 20V, 0.88A, SOT-363-6


Win Source:
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363


BSD840NH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.5 W

通道数 2

针脚数 6

漏源极电阻 0.27 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 500 mW

阈值电压 550 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 ±20 V

连续漏极电流Ids 0.88A

上升时间 2.2 ns

输入电容Ciss 55pF @10VVds

额定功率Max 500 mW

下降时间 0.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 车用, 电源管理, Onboard charger, 通信与网络, 工业, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Automotive, Consumer Electronics, 消费电子产品, Communications & Networking, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSD840NH6327XTSA1引脚图与封装图
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