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BDP948
Infineon 英飞凌 分立器件

PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −45V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 85~475 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 3W Description & Applications| For AF driver and output stages High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BDP947, BDP949 NPN 描述与应用| 对于AF驱动器和输出级 高集电极电流 高电流增益 低集电极 - 发射极饱和电压 互补类型:BDP947 BDP949(NPN)

BDP948中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 475

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223-4-10

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-223-4-10

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BDP948引脚图与封装图
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型号: BDP948

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封装: SOT-223 PNP

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