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BSC009NE2LS5ATMA1

BSC009NE2LS5ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

表面贴装型 N 通道 25 V 41A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),74W(Tc) PG-TDSON-8-7


欧时:
MOSFET OptiMOS5 25V 100A 0.9m SuperSO8


得捷:
MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON


贸泽:
MOSFET LV POWER MOS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin TDSON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON / N-Channel 25 V 41A Ta, 100A Tc 2.5W Ta, 74W Tc Surface Mount PG-TDSON-8-7


BSC009NE2LS5ATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 74 W

通道数 1

针脚数 8

极性 N-CH

耗散功率 74 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 41A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 3900pF @12VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 74W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 E-fuse, CPU/GPU VR in notebooks, High power density voltage regulator, Or-ing, Single-phase and multiphase POL, and

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSC009NE2LS5ATMA1引脚图与封装图
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