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BSC500N20NS3GATMA1

BSC500N20NS3GATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 0.042 ohm, 10 V, 3 V

表面贴装型 N 通道 24A(Tc) 96W(Tc) PG-TDSON-8-1


得捷:
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8


欧时:
MOSFET N-Ch 200V 24A 50m OptiMOS3 TDSON8


贸泽:
MOSFET N-Ch 200V 24A TDSON-8


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON T/R


Chip1Stop:
OptiMOS 3 Power-Transistor


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 96W; PG-TDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R


BSC500N20NS3GATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 96 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.042 Ω

极性 N-CH

耗散功率 96 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 24A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 1580pF @100VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 96W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Class D audio amplifiers, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSC500N20NS3GATMA1引脚图与封装图
BSC500N20NS3GATMA1引脚图

BSC500N20NS3GATMA1引脚图

BSC500N20NS3GATMA1封装图

BSC500N20NS3GATMA1封装图

BSC500N20NS3GATMA1封装焊盘图

BSC500N20NS3GATMA1封装焊盘图

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BSC500N20NS3GATMA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 0.042 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存