BSO051N03MS G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSO051N03MS G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.56W Ta
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 7.6 ns
输入电容Ciss 4300pF @15VVds
额定功率Max 1.56 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.56W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-DSO-8
外形尺寸
封装 PG-DSO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSO051N03MS G引脚图与封装图
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在线购买BSO051N03MS G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSO051N03MS G | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8Pin DSO | 搜索库存 |
替代型号BSO051N03MS G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSO051N03MS G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： DSO | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8Pin DSO | 当前型号 |
| 型号： BSO040N03MSGXUMA1 品牌： 英飞凌 封装： SOIC-8 N-Channel 30V 16A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 V | BSO051N03MS G和BSO040N03MSGXUMA1的区别 |