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BSZ035N03LSGATMA1

BSZ035N03LSGATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

TSDSON N-CH 30V 40A

表面贴装型 N 通道 30 V 20A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8


得捷:
MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON


贸泽:
MOSFET LV POWER MOS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin TSDSON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8


BSZ035N03LSGATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 69 W

漏源极电阻 0.0029 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 69 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 40A

上升时间 5.4 ns

输入电容Ciss 4400pF @15VVds

额定功率Max 69 W

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.1W Ta, 69W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TSDSON-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-TSDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger, Mainboard, VRD/VRM

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BSZ035N03LSGATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSZ035N03LSGATMA1 Infineon 英飞凌 TSDSON N-CH 30V 40A 搜索库存
替代型号BSZ035N03LSGATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSZ035N03LSGATMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 30V 40A

当前型号

TSDSON N-CH 30V 40A

当前型号

型号: IRFHM830TRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 30V 21A

功能相似

INFINEON  IRFHM830TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 3 mohm, 10 V, 1.8 V

BSZ035N03LSGATMA1和IRFHM830TRPBF的区别