额定功率 69 W
漏源极电阻 0.0029 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 69 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 40A
上升时间 5.4 ns
输入电容Ciss 4400pF @15VVds
额定功率Max 69 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 69W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TSDSON-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TSDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger, Mainboard, VRD/VRM
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSZ035N03LSGATMA1 | Infineon 英飞凌 | TSDSON N-CH 30V 40A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSZ035N03LSGATMA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 40A | 当前型号 | TSDSON N-CH 30V 40A | 当前型号 | |
型号: IRFHM830TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 21A | 功能相似 | INFINEON IRFHM830TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 3 mohm, 10 V, 1.8 V | BSZ035N03LSGATMA1和IRFHM830TRPBF的区别 |