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BSP372NH6327XTSA1

BSP372NH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSP372NH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 100 V, 0.153 ohm, 10 V, 1.4 V 新

OptiMOS™ 小信号 MOSFET


欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP372NH6327XTSA1, 1.8 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装


得捷:
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4


贸泽:
MOSFET SMALL SIGNAL N-CH


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
# INFINEON  BSP372NH6327XTSA1  MOSFET, N-CH, 100V, 1.8A, SOT-223-4 New


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223


BSP372NH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.8 W

通道数 1

针脚数 4

漏源极电阻 0.153 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.8 W

阈值电压 1.4 V

输入电容 247 pF

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 1.8A

上升时间 6.7 ns

输入电容Ciss 329pF @25VVds

额定功率Max 1.8 W

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSP372NH6327XTSA1引脚图与封装图
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在线购买BSP372NH6327XTSA1
型号 制造商 描述 购买
BSP372NH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  BSP372NH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 100 V, 0.153 ohm, 10 V, 1.4 V 新 搜索库存
替代型号BSP372NH6327XTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSP372NH6327XTSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 1.8A

当前型号

INFINEON  BSP372NH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 100 V, 0.153 ohm, 10 V, 1.4 V 新

当前型号

型号: BSP372L6327HTSA1

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 N-CH 100V 1.7A

类似代替

SOT-223 N-CH 100V 1.7A

BSP372NH6327XTSA1和BSP372L6327HTSA1的区别

型号: STN2NF10

品牌: 意法半导体

封装: SOT-223 N-Channel 100V 2A 260mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STN2NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 100 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V

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