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BSZ042N04NSGATMA1

BSZ042N04NSGATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ042N04NSGATMA1, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装

I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V

OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


得捷:
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ042N04NSGATMA1, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8


BSZ042N04NSGATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 2.1 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 40A

上升时间 3.4 ns

输入电容Ciss 2800pF @20VVds

下降时间 4.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.1W Ta, 69W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TSDSON-8

外形尺寸

长度 3.4 mm

宽度 3.4 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-TSDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Synchronous rectification, Or-ing switches, Isolated DC-DC converters

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

BSZ042N04NSGATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSZ042N04NSGATMA1 Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ042N04NSGATMA1, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装 搜索库存
替代型号BSZ042N04NSGATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSZ042N04NSGATMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TSDSON N-Channel 40V 40A

当前型号

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ042N04NSGATMA1, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装

当前型号

型号: BSZ042N04NS G

品牌: 英飞凌

封装: TSDSON-8 N-Channel

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BSZ042N04NSGATMA1和BSZ042N04NS G的区别