BSO150N03
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSO150N03中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 9.10 A
极性 N-CH
输入电容 1.89 nF
栅电荷 15.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 9.10 A
输入电容Ciss 1890pF @15VVds
额定功率Max 1.4 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PG-DSO-8
外形尺寸
封装 PG-DSO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSO150N03引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BSO150N03
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSO150N03 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 8-SOIC N-CH 30V 9.1A 1.89nF | 当前型号 | OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： FDC655BN 品牌： 飞兆/仙童 封装： SSOT N-Channel 30V 6.3A 25mohms 570pF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V | BSO150N03和FDC655BN的区别 |