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BSC070N10NS5ATMA1

BSC070N10NS5ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

BSC070N10NS5ATMA1 编带

表面贴装型 N 通道 100 V 80A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8-7


得捷:
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON


欧时:
MOSFET N-Ch 100V 80A 7m OptiMOS5 TDSON8


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON T/R


立创商城:
N沟道 100V 80A


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8


BSC070N10NS5ATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 114 W

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.006 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2700pF @50VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

宽度 5.15 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

BSC070N10NS5ATMA1引脚图与封装图
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