BSO211PNTMA1

Infineon(英飞凌) 主动器件

DSO P-CH 20V 4.7A

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 4.7A 2W Surface Mount P-DSO-8

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8PDSO

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 8-Pin DSO T/R

Win Source:
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC

BSO211PNTMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 4.7A

输入电容Ciss 920pF @15VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 P-DSO-8

外形尺寸

封装 P-DSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

BSO211PNTMA1引脚图与封装图

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