锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BSP295H6327XTSA1

BSP295H6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP295H6327XTSA1, 1.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装

SIPMOS® N 通道 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4


欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP295H6327XTSA1, 1.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 60 V, 0.22 ohm, 10 V, 1.1 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A 4-Pin SOT-223 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223


BSP295H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.8 W

通道数 1

针脚数 4

漏源极电阻 0.22 Ω

极性 N-CH

耗散功率 1.8 W

阈值电压 1.1 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 1.8A

上升时间 9.9 ns

输入电容Ciss 368pF @25VVds

额定功率Max 1.8 W

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BSP295H6327XTSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSP295H6327XTSA1
型号 制造商 描述 购买
BSP295H6327XTSA1 Infineon 英飞凌 Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP295H6327XTSA1, 1.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装 搜索库存