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BSC046N10NS3GATMA1

BSC046N10NS3GATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSC046N10NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.004 ohm, 10 V, 2.7 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上


得捷:
MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC046N10NS3GATMA1, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 17A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 8-Pin TDSON EP


富昌:
N-Channel 100 V 4.6 mOhm OptiMOS™3 Power-MOSFET - PG-TDSON-8


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 17A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 100 V, 0.004 ohm, 10 V, 2.7 V


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8


BSC046N10NS3GATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 156 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.004 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 156 W

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 17A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 4500pF @50VVds

额定功率Max 156 W

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 156W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 6.1 mm

宽度 5.35 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Uninterruptable power supplies UPS, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Class D audio amplifiers, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSC046N10NS3GATMA1引脚图与封装图
BSC046N10NS3GATMA1引脚图

BSC046N10NS3GATMA1引脚图

BSC046N10NS3GATMA1封装图

BSC046N10NS3GATMA1封装图

BSC046N10NS3GATMA1封装焊盘图

BSC046N10NS3GATMA1封装焊盘图

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BSC046N10NS3GATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  BSC046N10NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.004 ohm, 10 V, 2.7 V 搜索库存