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BSS126H6327XTSA2

BSS126H6327XTSA2

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSS126H6327XTSA2  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 mA, 600 V, 280 ohm, 10 V, -2 V

SIPMOS® N 通道 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3


欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS126H6327XTSA2, 17 mA, Vds=600 V, 3引脚 SOT-23封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# INFINEON  BSS126H6327XTSA2  Power MOSFET, N Channel, 21 mA, 600 V, 280 ohm, 10 V, -2 V


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23


BSS126H6327XTSA2中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.5 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 280 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 0.021A

上升时间 9.7 ns

正向电压Max 1.2 V

输入电容Ciss 28pF @25VVds

额定功率Max 500 mW

下降时间 115 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 车用, Communications & Networking, 电源管理, 便携式器材, Consumer Electronics, Onboard charger, 通信与网络, Power Management, Automotive, 消费电子产品, Portable Devices

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSS126H6327XTSA2引脚图与封装图
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在线购买BSS126H6327XTSA2
型号 制造商 描述 购买
BSS126H6327XTSA2 Infineon 英飞凌 INFINEON  BSS126H6327XTSA2  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 mA, 600 V, 280 ohm, 10 V, -2 V 搜索库存
替代型号BSS126H6327XTSA2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BSS126H6327XTSA2

品牌： Infineon 英飞凌

封装： SOT-23 N-Channel 600V 0.021A

当前型号

INFINEON  BSS126H6327XTSA2  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 mA, 600 V, 280 ohm, 10 V, -2 V

当前型号

型号： BSS126H6906XTSA1

品牌： 英飞凌

封装： SOT-23 N-Channel 600V 0.021A

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