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BSR316PH6327XTSA1

BSR316PH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSR316PH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -360 mA, -100 V, 1.3 ohm, -10 V, -1.5 V 新

BSR316P H6327 , SP001101034


得捷:
MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3


欧时:
MOSFET P-Ch 100V 0.36A 1.8R SIPMOS SC-59


贸泽:
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive 3-Pin SC-59 T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59; SIPMOS™


Newark:
# INFINEON  BSR316PH6327XTSA1  MOSFET, P-CH, -100V, -0.36A, SC-59-3


BSR316PH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.3 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 500 mW

阈值电压 1.5 V

输入电容 124 pF

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 0.36A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 165pF @25VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSR316PH6327XTSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSR316PH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  BSR316PH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -360 mA, -100 V, 1.3 ohm, -10 V, -1.5 V 新 搜索库存
替代型号BSR316PH6327XTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSR316PH6327XTSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL P-Channel 100V 0.36A

当前型号

INFINEON  BSR316PH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -360 mA, -100 V, 1.3 ohm, -10 V, -1.5 V 新

当前型号

型号: BSR316PL6327HTSA1

品牌: 英飞凌

封装: SC-59 P-Channel 100V 0.36A

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