BSD816SNL6327HTSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

SOT-363 N-CH 20V 1.4A

N-Channel 20V 1.4A Ta 500mW Ta Surface Mount PG-SOT363-6

得捷:
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT363

Win Source:
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363

BSD816SNL6327HTSA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.5 W

极性 N-CH

耗散功率 500mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1.4A

输入电容Ciss 180pF @10VVds

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

BSD816SNL6327HTSA1引脚图与封装图

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