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BSP135H6327XTSA1

BSP135H6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSP135H6327XTSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, -1.4 V

SIPMOS® N 通道 MOSFET


立创商城:
N沟道 600V 120mA


得捷:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4


欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP135H6327XTSA1, 120 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
# INFINEON  BSP135H6327XTSA1  Power MOSFET, N Channel, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, -1.4 V


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223


BSP135H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.8 W

通道数 1

针脚数 4

漏源极电阻 25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.8 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 0.12A

上升时间 5.6 ns

输入电容Ciss 146pF @25VVds

额定功率Max 1.8 W

下降时间 182 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Communications & Networking, 便携式器材, 车用, Onboard charger, 通信与网络, Automotive, Consumer Electronics, Portable Devices, 电源管理, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSP135H6327XTSA1引脚图与封装图
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BSP135H6327XTSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  BSP135H6327XTSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, -1.4 V 搜索库存