BLF6G10-160RN,112
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NXP
恩智浦
主动器件
BLF6G10-160RN,112中文资料参数规格
技术参数
频率 922.5MHz ~ 957.5MHz
额定电流 39 A
漏源极电阻 70 mΩ
阈值电压 1.9 V
漏源击穿电压 65 V
输出功率 32 W
增益 22.5 dB
测试电流 1.2 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-502-3
外形尺寸
封装 SOT-502-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BLF6G10-160RN,112引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BLF6G10-160RN,112 | NXP 恩智浦 | RF MOSFET Transistors Trans MOSFET N-CH 65V 39A 3Pin | 搜索库存 |