锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BF545A,215

BF545A,215

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
JFET N-CH 30V 6.5MA SOT23


欧时:
### N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


艾睿:
N-channel RF silicon junction field-effect transistors


安富利:
Trans JFET N-CH 30V 6.5mA 3-Pin TO-236AB T/R


富昌:
BF545A 系列 30 V 250 mW N沟道 硅 结型场效应晶体管


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 30V 6.5mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
N-channel RF silicon junction field-effect transistors


Newark:
# NXP  BF545A,215  RF FET Transistor, 30 V, 6.5 mA, 250 mW, SOT-23


RfMW:
Transistors


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 10MA SOT23


Win Source:
JFET N-CH 30V 6.5MA SOT23


BF545A,215中文资料参数规格
技术参数

额定电流 6.5 mA

击穿电压 -30.0 V

针脚数 3

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 30 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

BF545A,215引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BF545A,215
型号 制造商 描述 购买
BF545A,215 NXP 恩智浦 N 通道 JFET,NXP ### JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。 搜索库存
替代型号BF545A,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BF545A,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-236 250mW

当前型号

N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

当前型号

型号: BF245A,126

品牌: 恩智浦

封装: TO-226-3

完全替代

Trans JFET N-CH 30V 6.5mA Si 3Pin SPT Ammo

BF545A,215和BF245A,126的区别

型号: BF510,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236AB 250mW

类似代替

N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

BF545A,215和BF510,215的区别

型号: BF510

品牌: 恩智浦

封装:

功能相似

BF510 N沟道结型场效应管 20v 0.7~3mA SOT-23 marking/标记 SG 射频

BF545A,215和BF510的区别