![BC856W,115](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_46/chanpintu/bc856w115-eBP04XMh-nZ8yQN93q.png)
频率 100 MHz
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 125
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC856W,115 | NXP 恩智浦 | SC-70 PNP 65V 0.1A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC856W,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SC-70 PNP 200mW | 当前型号 | SC-70 PNP 65V 0.1A | 当前型号 | |
型号: BC856AW,135 品牌: 恩智浦 封装: SC-70 PNP | 完全替代 | SC-70 PNP 65V 0.1A | BC856W,115和BC856AW,135的区别 | |
型号: BC856AW,115 品牌: 恩智浦 封装: SC-70 PNP 200mW | 类似代替 | SC-70 PNP 65V 0.1A | BC856W,115和BC856AW,115的区别 |