BCW31,215
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BCW31,215中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 190
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
BCW31,215引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BCW31,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCW31,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236-3 NPN 250mW | 当前型号 | TO-236AB NPN 32V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： BC848ALT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 30V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC848ALT1G 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 110 hFE | BCW31,215和BC848ALT1G的区别 |
| 型号： BCW32LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 32V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BCW32LT1G 单晶体管 双极, NPN, 32 V, 225 mW, 100 mA, 200 hFE | BCW31,215和BCW32LT1G的区别 |