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BCV27,215
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  BCV27,215  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 220 MHz, 250 mW, 500 mA, 4000 hFE

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 30V 500mA 220MHz 250mW Surface Mount TO-236AB


得捷:
TRANS DARL NPN 30V 500MA SOT23


艾睿:
Trans Darlington NPN 30V 0.5A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


安富利:
* Medium current max. 500 mA * Low voltage max. 60 V * High DC current gain min. 20000. * AEC-Q101 qualified


富昌:
BCV27 Series 30 V 500 mA SMT NPN Darlington Transistor - SOT-23-3


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 30V 0.5A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans Darlington NPN 30V 0.5A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


Newark:
# NXP  BCV27,215  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 220 MHz, 250 mW, 500 mA, 20000 hFE


BCV27,215中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 20000 @100mA, 5V

额定功率Max 250 mW

直流电流增益hFE 20000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 220 MHz

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

BCV27,215引脚图与封装图
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在线购买BCV27,215
型号 制造商 描述 购买
BCV27,215 NXP 恩智浦 NXP  BCV27,215  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 220 MHz, 250 mW, 500 mA, 4000 hFE 搜索库存
替代型号BCV27,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCV27,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-23 NPN 250mW

当前型号

NXP  BCV27,215  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 220 MHz, 250 mW, 500 mA, 4000 hFE

当前型号

型号: BAT721,215

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23

完全替代

NXP  BAT721,215  小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 200 mA, 550 mV, 1 A, 150 °C

BCV27,215和BAT721,215的区别

型号: PMBTA14,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236-3 250mW

类似代替

PMBTA14 系列 30 V 500 mA 表面贴装 NPN 达林顿晶体管 - SOT-23-3

BCV27,215和PMBTA14,215的区别

型号: MMBTA13LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 30V 300mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBTA13LT1G  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 125 MHz, 225 mW, 300 mA, 10000 hFE

BCV27,215和MMBTA13LT1G的区别