上升/下降时间 200ns, 100ns
输出接口数 2
输出电压 10V ~ 18V
输出电流 60mA, 130mA
针脚数 8
静态电流 120 µA
上升时间 200 ns
下降时间 100 ns
下降时间Max 170 ns
上升时间Max 300 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 670 mW
电源电压 10V ~ 18V
电源电压Max 18 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOP-8
封装 SOP-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BS2103F-E2引脚图
BS2103F-E2封装图
BS2103F-E2封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BS2103F-E2 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 10V至18V电源, 220ns延迟, SOP-8 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BS2103F-E2 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: | 当前型号 | MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 10V至18V电源, 220ns延迟, SOP-8 | 当前型号 | |
型号: BS2100F-E2 品牌: 罗姆半导体 封装: | 类似代替 | MOSFET DRVR 0.13A 1Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin SOP Embossed T/R | BS2103F-E2和BS2100F-E2的区别 |