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BS2103F-E2

BS2103F-E2

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 连接器与适配器

MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 10V至18V电源, 220ns延迟, SOP-8

gate driver


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP


贸泽:
Gate Drivers 600V High Voltage H/L Side Gate Driver


e络盟:
MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 10V至18V电源, 220ns延迟, SOP-8


艾睿:
Driver 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOP T/R


安富利:
MOSFET DRVR 0.13A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOP Embossed T/R


BS2103F-E2中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 200ns, 100ns

输出接口数 2

输出电压 10V ~ 18V

输出电流 60mA, 130mA

针脚数 8

静态电流 120 µA

上升时间 200 ns

下降时间 100 ns

下降时间Max 170 ns

上升时间Max 300 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 670 mW

电源电压 10V ~ 18V

电源电压Max 18 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BS2103F-E2引脚图与封装图
BS2103F-E2引脚图

BS2103F-E2引脚图

BS2103F-E2封装图

BS2103F-E2封装图

BS2103F-E2封装焊盘图

BS2103F-E2封装焊盘图

在线购买BS2103F-E2
型号 制造商 描述 购买
BS2103F-E2 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 10V至18V电源, 220ns延迟, SOP-8 搜索库存
替代型号BS2103F-E2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BS2103F-E2

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装:

当前型号

MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 10V至18V电源, 220ns延迟, SOP-8

当前型号

型号: BS2100F-E2

品牌: 罗姆半导体

封装:

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