BST61,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BST61,115中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 1.3 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V
额定功率Max 1.3 W
直流电流增益hFE 2000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 1300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
外形尺寸
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
BST61,115引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BST61,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BST61,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-243AA PNP 1300mW | 当前型号 | BST61 系列 60 V 1 A 表面贴装 PNP 达林顿晶体管 - SOT-89-3 | 当前型号 |
| 型号： FMMT593TA 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 PNP 100V 1A 500mW | 功能相似 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Medium Power | BST61,115和FMMT593TA的区别 |
| 型号： BST62,115 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Nexperia BST62,115 PNP 达林顿晶体管对, -1 A, Vce=80 V, HFE=1000, 3引脚 SOT-89封装 | BST61,115和BST62,115的区别 |
| 型号： NTE2429 品牌： NTE Electronics 封装： SOT-89 PNP | 功能相似 | SOT-89 PNP 1A | BST61,115和NTE2429的区别 |