BSS138BK,215
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
漏源极电阻 1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
阈值电压 1.1 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.36A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 56pF @10VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 350mW Ta, 1.14W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSS138BK,215 | NXP 恩智浦 | TO-236AB N-CH 60V 0.36A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSS138BK,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-236-3 N-Channel 60V 0.36A | 当前型号 | TO-236AB N-CH 60V 0.36A | 当前型号 | |
型号: 2N7002KT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23-3 N-Channel 60V 380mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002KT1G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 380mA SOT-23 | BSS138BK,215和2N7002KT1G的区别 |