BSS138PW,115
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NXP
恩智浦
分立器件
BSS138PW,115中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.9 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 310 mW
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 50pF @10VVds
额定功率Max 260 mW
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 260mW Ta, 830mW Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSS138PW,115引脚图与封装图
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在线购买BSS138PW,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSS138PW,115 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3Pin SC-70 T/R | 搜索库存 |
替代型号BSS138PW,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSS138PW,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT323 N-Channel | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3Pin SC-70 T/R | 当前型号 |
| 型号： 2N7002WT1G 品牌： 安森美 封装： SC-70 N-Channel 60V 340mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002WT1G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 340mA, SC-70, 整卷 | BSS138PW,115和2N7002WT1G的区别 |