
漏源极电阻 0.064 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 89 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 21.7 A
上升时间 39 ns
输入电容Ciss 1210pF @25VVds
额定功率Max 89 W
下降时间 24 ns
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 89W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BUK7275-100A,118 | NXP 恩智浦 | BUK 系列 100 V 75 mOhm 84 W TrenchMOS 标准电平 FET - SOT-428 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BUK7275-100A,118 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT428 N-Channel 100V 21.7A | 当前型号 | BUK 系列 100 V 75 mOhm 84 W TrenchMOS 标准电平 FET - SOT-428 | 当前型号 | |
型号: BUK9275-100A,118 品牌: 恩智浦 封装: SOT428 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 100V 21.7A 3Pin2+Tab DPAK T/R | BUK7275-100A,118和BUK9275-100A,118的区别 | |
型号: STD15NF10T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 100V 23A 65mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V | BUK7275-100A,118和STD15NF10T4的区别 |