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BPW17N

VISHAY  BPW17N  光电三极管,T3/4

825nm 顶视图 径向


得捷:
PHOTOTRANSISTOR 450 TO 1040 NM


欧时:
### BPW17N Series PhototransistorsThe BPW17N series, from Vishay Semiconductor, are silicon NPN phototransistors which are sensitive to visible and near IR light. They come in standard through-hole 1.8mm T-3/4 packages. The BPW17N phototransistors have a clear plastic lens with a flat top. Detectors in electronic control and drive circuits are ideal applications for the BPW17N phototransistors. Features of the BPW17N phototransistors: 1.8mm T-3/4 package Through-hole mounting High photo sensitivity High radiant sensitivity Fast response times ### 红外光电晶体管,Vishay Semiconductor


贸泽:
Phototransistors NPN Phototransistor 32V 100mW 825nm


艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 825nm 2-Pin T-3/4


安富利:
Phototransistor Chip Silicon 825nm 2-Pin T-3/4


富昌:
825 nm ±12° 灵敏度 32 V 50 mA 通孔 NPN 光电晶体管 - T-3/4


Chip1Stop:
Phototransistor Chip Silicon 825nm 2-Pin T-3/4


TME:
Phototransistor; transparent; 24°; λp max:825nm; 32V; THT; 1mA


Verical:
Phototransistor Chip Silicon 825nm 2-Pin T-3/4


Newark:
# VISHAY  BPW17N  Phototransistor, 825 nm, 12 °, 100 mW, 2 Pins, T-3/4 1.8mm


儒卓力:
**PHOTOTRANSISTOR 1,8MM **


AMEYA360:
Vishay BPW17N, 24 ° 红外+可见光 光电晶体管, 通孔安装 1.8/2.4mm 封装


BPW17N中文资料参数规格
技术参数

额定电流 50.0 mA

上升/下降时间 4.8 ns

通道数 1

针脚数 2

波长 825 nm

视角 12°

峰值波长 825 nm

极性 NPN

耗散功率 100 mW

功耗 100 mW

上升时间 4.8 µs

击穿电压集电极-发射极 32 V

额定功率Max 100 mW

下降时间 5 µs

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 T-3

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 2.4 mm

高度 2.9 mm

封装 T-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 100℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 传感与仪器, Sensing & Instrumentation

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BPW17N引脚图与封装图
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