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BFG520,215

BFG520,215

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE

The BFG520 is a NPN silicon epitaxial planar Wideband Transistor encapsulated in a plastic envelope. The device is intended for applications in the RF frontend in the GHz range, such as analogue and digital cellular telephones, cordless telephones CT1, CT2, DECT, radar detectors, pagers and satellite TV tuners SATV and repeater amplifiers in fibre-optic systems.

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High power gain
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Low noise figure
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High transition frequency
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Gold metallization ensures excellent reliability
BFG520,215中文资料参数规格
技术参数

频率 9000 MHz

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 15 V

最小电流放大倍数hFE 60 @20mA, 6V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 120

工作温度Max 175 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-253-4

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TO-253-4

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通信与网络, 工业, 射频通信, 电源管理, 光纤

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

BFG520,215引脚图与封装图
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在线购买BFG520,215
型号 制造商 描述 购买
BFG520,215 NXP 恩智浦 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE 搜索库存
替代型号BFG520,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BFG520,215

品牌： NXP 恩智浦

封装： TO-253-4 NPN 0.3W

当前型号

晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE

当前型号

型号： BFG520,235

品牌： 恩智浦

封装： TO-253-4 300mW

完全替代

Trans RF BJT NPN 15V 0.07A 300mW 4Pin3+Tab SOT-143B T/R

BFG520,215和BFG520,235的区别

型号： BFG520

品牌： 恩智浦

封装： SOT-143B NPN

功能相似

NXP  BFG520  晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE

BFG520,215和BFG520的区别