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BUK762R0-40E

BUK762R0-40E

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
BUK762R0-40E中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.00165 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 293 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 120A

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Exempt

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BUK762R0-40E引脚图与封装图
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在线购买BUK762R0-40E
型号 制造商 描述 购买
BUK762R0-40E NXP 恩智浦 D2PAK N-CH 40V 120A 搜索库存
替代型号BUK762R0-40E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BUK762R0-40E

品牌: NXP 恩智浦

封装: D2PAK N-Channel 40V 120A

当前型号

D2PAK N-CH 40V 120A

当前型号

型号: SUM110N04-2M1P-E3

品牌: 威世

封装: TO-252-3 N-Channel 40V 11A

功能相似

VISHAY  SUM110N04-2M1P-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 40 V, 1.7 mohm, 10 V, 1.2 V

BUK762R0-40E和SUM110N04-2M1P-E3的区别

型号: SQM120N04-1M9-GE3

品牌: 威世

封装: N-Channel

功能相似

VISHAY  SQM120N04-1M9-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V

BUK762R0-40E和SQM120N04-1M9-GE3的区别