
漏源极电阻 0.00165 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 293 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 120A
工作温度Max 175 ℃
引脚数 3
封装 TO-263
封装 TO-263
产品生命周期 Unknown
RoHS标准 Exempt
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BUK762R0-40E | NXP 恩智浦 | D2PAK N-CH 40V 120A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BUK762R0-40E 品牌: NXP 恩智浦 封装: D2PAK N-Channel 40V 120A | 当前型号 | D2PAK N-CH 40V 120A | 当前型号 | |
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型号: SQM120N04-1M9-GE3 品牌: 威世 封装: N-Channel | 功能相似 | VISHAY SQM120N04-1M9-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V | BUK762R0-40E和SQM120N04-1M9-GE3的区别 |