BCW30,215
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NXP
恩智浦
分立器件
BCW30,215中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 215 @2mA, 5V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 150
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BCW30,215引脚图与封装图
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在线购买BCW30,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCW30,215 | NXP 恩智浦 | NXP BCW30,215 单晶体管 双极, 通用, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 150 hFE | 搜索库存 |
替代型号BCW30,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCW30,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO23-6AB PNP 250mW | 当前型号 | NXP BCW30,215 单晶体管 双极, 通用, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 150 hFE | 当前型号 |
| 型号： BCW30,235 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 PNP 250mW | 完全替代 | TO-236AB PNP 32V 0.1A | BCW30,215和BCW30,235的区别 |
| 型号： BCW30LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -32V -100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BCW30LT1G 单晶体管 双极, PNP, -32 V, 225 mW, -100 mA, 215 hFE | BCW30,215和BCW30LT1G的区别 |