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BZX384-C9V1,115

BZX384-C9V1,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
BZX384-C9V1,115中文资料参数规格
技术参数

容差 ±5 %

针脚数 2

正向电压 1.1V @100mA

耗散功率 300 mW

测试电流 5 mA

稳压值 9.1 V

正向电压Max 1.1V @100mA

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-323

外形尺寸

高度 1.05 mm

封装 SOD-323

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

温度系数 5.5 MV/K

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BZX384-C9V1,115引脚图与封装图
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在线购买BZX384-C9V1,115
型号 制造商 描述 购买
BZX384-C9V1,115 NXP 恩智浦 NXP  BZX384-C9V1,115  单管二极管 齐纳, 9.1 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C 搜索库存
替代型号BZX384-C9V1,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BZX384-C9V1,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: UMD

当前型号

NXP  BZX384-C9V1,115  单管二极管 齐纳, 9.1 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C

当前型号

型号: BZX384-C9V1

品牌: 恩智浦

封装: SOD-323

完全替代

300mW,BZX384 系列,NXP Semiconductors齐纳电压容差为 2% BZX384-B 和大约 5% BZX384-C 表面安装外壳:SOD-323 SC-76 ### 齐纳二极管,NXP Semiconductors

BZX384-C9V1,115和BZX384-C9V1的区别

型号: MM3Z9V1T1G

品牌: 安森美

封装: SOD-323 9.1V 9.6V

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MM3Z9V1T1G  单管二极管 齐纳, 9.1 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C

BZX384-C9V1,115和MM3Z9V1T1G的区别