BC857BV,115
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NXP
恩智浦
分立器件
BC857BV,115中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666
外形尺寸
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-666
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BC857BV,115引脚图与封装图
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在线购买BC857BV,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC857BV,115 | NXP 恩智浦 | NXP BC857BV,115 双极晶体管阵列, PNP, -45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-666 | 搜索库存 |
替代型号BC857BV,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC857BV,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-666 PNP 200mW | 当前型号 | NXP BC857BV,115 双极晶体管阵列, PNP, -45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-666 | 当前型号 |
| 型号： BC857BV 品牌： 恩智浦 封装： SOT-666 PNP 200mW | 类似代替 | NXP BC857BV 双极晶体管阵列, 通用, PNP, 45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-666 | BC857BV,115和BC857BV的区别 |