BC856S,115
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NXP
恩智浦
分立器件
BC856S,115中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 220 mW
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 110
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
外形尺寸
宽度 1.35 mm
封装 TSSOP-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 ECL99
BC856S,115引脚图与封装图
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在线购买BC856S,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC856S,115 | NXP 恩智浦 | NXP BC856S,115 双极晶体管阵列, 双PNP, -65 V, 220 mW, -100 mA, 110 hFE, SOT-363 | 搜索库存 |
替代型号BC856S,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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