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BCV48,115
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  BCV48,115  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 220 MHz, 1.3 W, -500 mA, 2000 hFE

The is a PNP Darlington Transistor housed in a plastic package. It is suitable for use where very high amplification is required. It offers collector pad for good heat transfer.

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Very high DC current gain
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High current
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Low voltage
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EE marking code
BCV48,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 1.3 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V

额定功率Max 1.3 W

直流电流增益hFE 2000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 220 MHz

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BCV48,115引脚图与封装图
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在线购买BCV48,115
型号 制造商 描述 购买
BCV48,115 NXP 恩智浦 NXP  BCV48,115  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 220 MHz, 1.3 W, -500 mA, 2000 hFE 搜索库存
替代型号BCV48,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCV48,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-89 PNP 1300mW

当前型号

NXP  BCV48,115  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 220 MHz, 1.3 W, -500 mA, 2000 hFE

当前型号

型号: BCV48T/R

品牌: 恩智浦

封装: SOT-89 60V 500mA

类似代替

TRANSISTOR 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA, PLASTIC, SC-62, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

BCV48,115和BCV48T/R的区别

型号: BAT721C

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 450mV

功能相似

NXP  BAT721C  小信号肖特基二极管, 双共阴极, 40 V, 200 mA, 300 mV, 1 A, 125 °C

BCV48,115和BAT721C的区别