BFR181W
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Infineon
英飞凌
主动器件
BFR181W中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 175 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
外形尺寸
封装 SOT-323
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 For amplifier and oscillator applications in RF Front-end, Wireless Communications
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BFR181W引脚图与封装图
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在线购买BFR181W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFR181W | Infineon 英飞凌 | NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor | 搜索库存 |
替代型号BFR181W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BFR181W 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-323/SC-70 NPN | 当前型号 | NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor | 当前型号 |
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