BSO200N03S
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSO200N03S中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 7.00 A
漏源极电阻 0.02 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.56 W
阈值电压 1.6 V
输入电容 840 pF
栅电荷 6.50 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 8.80 A
上升时间 2.6 ns
输入电容Ciss 840pF @15VVds
额定功率Max 1.56 W
下降时间 2.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.56W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-DSO-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 PG-DSO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSO200N03S引脚图与封装图
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在线购买BSO200N03S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSO200N03S | Infineon 英飞凌 | OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号BSO200N03S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSO200N03S 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 8-SOIC N-Channel 30V 8.8A 840pF | 当前型号 | OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： NTMD4840NR2G 品牌： 安森美 封装： 8-SOIC Dual N-Channel 30V 5.5A | 功能相似 | N 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | BSO200N03S和NTMD4840NR2G的区别 |
| 型号： NTMS4920NR2G 品牌： 安森美 封装： SOP N-Channel 30V 17A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，30V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | BSO200N03S和NTMS4920NR2G的区别 |
| 型号： NTMS7N03R2G 品牌： 安森美 封装： SOIC N-Channel 30V 7mA 23mohms | 功能相似 | 7A,30V功率MOSFET | BSO200N03S和NTMS7N03R2G的区别 |