BSO119N03S
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSO119N03S中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 9.00 A
通道数 1
漏源极电阻 11.9 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.56 W
阈值电压 1.6 V
输入电容 1.73 nF
栅电荷 13.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 3.8 ns
输入电容Ciss 1730pF @15VVds
额定功率Max 1.56 W
下降时间 3.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.56W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-DSO-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 PG-DSO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSO119N03S引脚图与封装图
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在线购买BSO119N03S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSO119N03S | Infineon 英飞凌 | OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号BSO119N03S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSO119N03S 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 8-SOIC N-Channel 30V 11A 1.73nF | 当前型号 | OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： FDS6630A 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 6.5A 38mohms 460pF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6630A 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1.7 V | BSO119N03S和FDS6630A的区别 |