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BSM75GAR120DN2

BSM75GAR120DN2

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSM75GAR120DN2  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 105 A, 3 V, 625 W, 1.2 kV, Module

The is a N-channel IGBT Power Module for use with inductive heating and general power switching applications.


立创商城:
BSM75GAR120DN2


e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 105 A, 3 V, 625 W, 1.2 kV, Module


安富利:
Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 75A nom 625W


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Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 105A 5-Pin 34MM


Newark:
# INFINEON  BSM75GAR120DN2  IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 105 A, 3 V, 625 W, 1.2 kV, Module


罗切斯特:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 105A 5-Pin 34MM


BSM75GAR120DN2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 7

极性 N-Channel

耗散功率 625 W

工作温度Max 125 ℃

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 7

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

其他

产品生命周期 Not Recommended

制造应用 Power Management, 电源管理, HVAC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSM75GAR120DN2引脚图与封装图
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BSM75GAR120DN2 Infineon 英飞凌 INFINEON  BSM75GAR120DN2  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 105 A, 3 V, 625 W, 1.2 kV, Module 搜索库存