
额定电压DC 200 V
额定电流 14.5 A
漏源极电阻 200 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 95 W
阈值电压 3 V
输入电容 1.12 nF
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 14.5 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 1120pF @25VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 95W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2014/12/17
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BUZ31 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-220 N-Channel 200V 14.5A 1.12nF | 当前型号 | SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor | 当前型号 | |
型号: BUZ30A 品牌: 英飞凌 封装: TO-220-3 N-Channel 200V 21A | 类似代替 | Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | BUZ31和BUZ30A的区别 | |
型号: IRF640NSTRLPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 200V 18A | 功能相似 | INFINEON IRF640NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V | BUZ31和IRF640NSTRLPBF的区别 | |
型号: IRF640NSPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 200V 18A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | BUZ31和IRF640NSPBF的区别 |